所以我們?cè)趯?shí)際生產(chǎn)中盡可能控制表面銅厚的粗糙度，DMX512RDM

存儲(chǔ)器RAM(Random AccessMemory)兩種。其中，ROM存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)是信息可長(zhǎng)久保存，它內(nèi)部的信息是采用存儲(chǔ)器讀寫(xiě)器等專(zhuān)用設(shè)備固化的。而RAM存放的數(shù)據(jù)在斷電后會(huì)丟失，所以只用于CPU工作時(shí)的信息暫存。
由于小家電產(chǎn)品的信息、數(shù)據(jù)較單一，所以存

粗糙度在不影響結(jié)合力的情況下越小越好。特別是對(duì)10GHz以上范圍的信號(hào)。在10GHz時(shí)銅箔粗糙度需要低于1μm，使用超平面銅箔(表面粗糙度0.04μm)效果更佳。銅箔表面粗糙度還需結(jié)合適宜的氧化處理和粘合樹(shù)脂系統(tǒng)。

過(guò)孔：過(guò)孔也稱(chēng)金屬化孔。在雙面板和多層板中，DMX512RDM

低電平復(fù)位信號(hào)加到CPU后，它內(nèi)部的控制器、寄存器、存儲(chǔ)器等電路開(kāi)始復(fù)位;當(dāng)復(fù)位信號(hào)為高電平后，CPU復(fù)位結(jié)束，開(kāi)始正常工作。
提示　部分小家電產(chǎn)品的低電平復(fù)位信號(hào)是從電阻和電容組成的RC積分電路獲得的，復(fù)位時(shí)間的長(zhǎng)

為連通各層之間的印制導(dǎo)線(xiàn)，在各層需要連通的導(dǎo)線(xiàn)的交匯處鉆上一個(gè)公共孔，用于連接各層之間元器件引腳的金屬孔。導(dǎo)線(xiàn)：指的是用作電線(xiàn)電纜的材料，工業(yè)上也指電線(xiàn)。用于連接元器件引腳的電氣網(wǎng)絡(luò)銅膜。填充：用于地線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的敷銅，

功能要求，并留有適當(dāng)余地，以便進(jìn)行二次開(kāi)發(fā)。DMX512RDM

L/S為20μm。PCB線(xiàn)路圖形形成，傳統(tǒng)的是銅箔基板上光致成像后化學(xué)蝕刻工藝(減成法)，減成法制作精細(xì)線(xiàn)路的限度最小約在30μm，并且需要用薄銅箔(9~12μm)基板。由于薄銅箔CCL價(jià)格高，及薄銅箔層壓缺陷多，較多工廠(chǎng)產(chǎn)生18μm銅箔然后生產(chǎn)中采取蝕刻減薄銅層。這種做法工序多、厚度控制難、成本高

（3）硬件結(jié)構(gòu)應(yīng)結(jié)合應(yīng)用軟件方案一并考慮。硬件結(jié)構(gòu)與軟件方案會(huì)產(chǎn)生相互影響，考慮的原則是：軟件能實(shí)現(xiàn)的功能盡可能由軟件實(shí)殃，以簡(jiǎn)化硬件結(jié)構(gòu)。但必須注意，由軟件實(shí)現(xiàn)的硬件功能，一般響應(yīng)時(shí)間比硬件實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)，且占用CPU時(shí)間。（4）系統(tǒng)中